制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI3333-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms, 8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.7 nC, 8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.96 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:1.9 ns, 2.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.8 ns, 2.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7.2 ns, 11.7 ns

典型接通延迟时间:4.5 ns, 5.6 ns

单位重量:44 mg