FET类型：2 个 N 沟道
FET功能：标准
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：21A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：12 毫欧 @ 7A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1184pF @ 15V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerDI3333-8
无铅情况/RoHs：否