制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:V-DFN3030-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7.3 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25.1 nC, 25.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3 mm

产品:Enhancement Mode MOSFET

系列:DMN3016

晶体管类型:2 N-Channel

类型:Enhancement Mode MOSFET

宽度:3 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:5.6 ns, 5.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.5 ns, 16.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.1 ns, 26.1 ns

典型接通延迟时间:4.8 ns, 4.8 ns