FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：标准

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8.4A（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：15 毫欧 @ 12A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25.1nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1415pF @ 15V

功率-最大值：1.2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SO

封装形式Package：SO

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：8.4A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs