FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.2A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1415pF @ 15V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：V-DFN3030-8（J 类）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs