制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.9 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:9.6 nC, 9.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:870 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:DMG8822

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:10.1 ns, 10.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21.1 ns, 21.1 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38.6 ns, 38.6 ns

典型接通延迟时间:7.8 ns, 7.8 ns

单位重量:191 mg