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DMG7N65SCT /MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
DMG7N65SCT的规格信息
DMG7N65SCT的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7.7 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:25.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:1.800 g

供应商DMG7N65SCT
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DMG7N65SCTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO346.99 Kbytes共7页DMG7N65SCT的PDF下载地址无
DMG7N65SCTIN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO350.95 Kbytes共7页DMG7N65SCTI的PDF下载地址无
DMG7N65SCT的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		DMG7N65SCTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB$1.05900
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		DMG7N65SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V1:¥8.9948
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		DMG7N65SCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
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