系列：DMG

单位重量：72 mg

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

下降时间：22 ns

典型接通延迟时间：11.3 ns

上升时间：15.4 ns

Vgs-栅极-源极电压：± 25 V

Pd-功率耗散：940 mW

Id-连续漏极电流：- 9.8 A

Vds-漏源极击穿电压：- 30 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：9 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

Qg-栅极电荷：58 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：- 3 V

典型关闭延迟时间：38 ns

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，20V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：58nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2987pF @ 15V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：940mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：11 毫欧 @ 12A，20V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerWDFN

封装形式Package：PowerDI

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：9.8A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs