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DMG8601UFG-7 /MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
DMG8601UFG-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:U-DFN3030-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6.1 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:8.8 nC, 8.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:920 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:DMG8601

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:234 ns, 234 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:78 ns, 78 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:562 ns, 562 ns

典型接通延迟时间:53 ns, 53 ns

单位重量:12 mg

供应商DMG8601UFG-7
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深圳博睿鹏成科技有限公司DMG8601UFG-7深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
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集好芯城DMG8601UFG-7深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
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芯莱德电子(香港)有限公司DMG8601UFG-7深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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DMG8601UFG-7DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO177.39 Kbytes共6页DMG8601UFG-7的PDF下载地址
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DMG8601UFG-7DIODES ZETEX3000+:¥1.41
6000+:¥1.31
15000+:¥1.23
30000+:¥1.1601
75000+:¥1.14
150000+:¥1.091+:¥3.54
10+:¥2.61
100+:¥1.64
1000+:¥1.45
3000+:¥1.3499
9000+:¥1.24
24000+:¥1.2
45000+:¥1.17
99000+:¥1.143000+:¥0.981+:¥1.2
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DMG8601UFG-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.41
6000+:¥1.31
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DMG8601UFG-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.41
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DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN10 : $0.484
1 : $0.56
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Digi-Key 得捷电子
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN$0.60000
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Mouser 贸泽电子
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
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Mouser 贸泽电子
DMG8601UFG-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.41
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45000+:¥1.17
99000+:¥1.14
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Verical
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 20V 6.1A Automotive 8-Pin DFN EP T/R$0.1625
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Verical
DMG8601UFG-7DIODES ZETEX3000+:¥1.41
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15000+:¥1.23
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100+:¥1.64
1000+:¥1.45
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45000+:¥1.17
99000+:¥1.143000+:¥0.981+:¥1.21+:¥0.91
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立创商城
DMG8601UFG-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.05V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):920mW 类型:双N沟道(共漏)1+:¥2.12
10+:¥1.56
30+:¥1.46
100+:¥1.36
500+:¥1.32
1000+:¥1.29