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DMG3401LSN-7 /MOSFET 30V P-CH MOSFET
DMG3401LSN-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-59-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMG340

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:71 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:8 mg

供应商DMG3401LSN-7
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现代芯城(深圳)科技有限公司DMG3401LSN-7www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司DMG3401LSN-7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司DMG3401LSN-7深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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DMG3401LSN-7DIODES ZETEX3000+:¥0.62
6000+:¥0.56
15000+:¥0.49
30000+:¥0.46
75000+:¥0.42
150000+:¥0.41+:¥3.13
10+:¥1.77
100+:¥0.76
1000+:¥0.59
3000+:¥0.51
9000+:¥0.46
24000+:¥0.46
45000+:¥0.42
99000+:¥0.41+:¥0.43
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DMG3401LSN-7Diodes Incorporated3,000 : $0.0608
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DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 30V 3A SC59$0.52000
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DMG3401LSN-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.62
6000+:¥0.56
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150000+:¥0.4
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Digi-Key 得捷电子
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 30V 3A SC5915,000 : $0.068
6,000 : $0.0765
3,000 : $0.085
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DMG3401LSN-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.62
6000+:¥0.56
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150000+:¥0.41+:¥3.13
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Mouser 贸泽电子
DMG3401LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V P-CH MOSFET1:¥3.7629
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1,000:¥0.81473
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DMG3401LSN-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW 类型:P沟道5+:¥0.607679
50+:¥0.463078
150+:¥0.436519
500+:¥0.40996
2500+:¥0.398155
5000+:¥0.392323