FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：260mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.36nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：42pF @ 10V

Vgs（最大值）：8V

功率耗散（最大值）：320mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：25V

连续漏极电流ID：0.26A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs