FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：808pF @ 15V

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Id-连续漏极电流：4.2A

Pd-功率耗散：1.4W

Qg-栅极电荷：10.2nC

Rds On-漏源导通电阻：52mOhms

Vds-漏源极击穿电压：20V

Vgs - 栅极-源极电压：-4.5V

Vgs th-栅源极阈值电压：500mV

上升时间：13.7ns

下降时间：34.7ns

典型关闭延迟时间：79.3ns

典型接通延迟时间：10.8ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SOT-23-3

晶体管极性：P-Channel

晶体管类型：1P-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-55C

系列：DMG230

资格：AEC-Q101

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs