系列：汽车级，AEC-Q101
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：130pF @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：660mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs