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DMG2301LK-7 /MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2301LK-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.4 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:3.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:10.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:3.2 ns

单位重量:32 mg

供应商DMG2301LK-7
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DMG2301LK-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23$0.45000
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DMG2301LK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
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DMG2301LK-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 1A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):840mW 类型:P沟道5+:¥0.656378
50+:¥0.485549
150+:¥0.454173
500+:¥0.422796
2500+:¥0.408851
5000+:¥0.40196