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DMC1229UFDB-7 /MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
DMC1229UFDB-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN2020-B-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:3.8 A, 5.6 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms, 61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:10.5 nC, 10.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMC1229

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:5.5 S, 6.5 S

下降时间:4.1 ns, 26.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.5 ns, 11.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.6 ns, 27.8 ns

典型接通延迟时间:5 ns, 5.7 ns

供应商DMC1229UFDB-7
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DMC1229UFDB-7COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO290.52 Kbytes共9页DMC1229UFDB-7的PDF下载地址
DMC1229UFDB-7的全球分销商及价格
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Allied Electronics
DMC1229UFDB-7Diodes IncMOSFET N/P-Ch 12V 5.6/3.8A U-DFN2020-6+100:$0.34
+200:$0.28
+500:$0.25
+1000:$0.22
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DMC1229UFDB-7DIODES ZETEX3000+:¥1.171+:¥2.9
10+:¥2.1601
100+:¥1.37
1000+:¥1.21
3000+:¥1.12
9000+:¥1.03
24000+:¥1
45000+:¥0.98
99000+:¥
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DMC1229UFDB-7Diodes Incorporated3,000 : $0.1406
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DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6$0.50000
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Digi-Key 得捷电子
DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-63,000 : $0.16089
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Digi-Key 得捷电子
DMC1229UFDB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.17
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Mouser 贸泽电子
DMC1229UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
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Mouser 贸泽电子
DMC1229UFDB-7Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.171+:¥2.9
10+:¥2.1601
100+:¥1.37
1000+:¥1.21
3000+:¥1.12
9000+:¥1.03
24000+:¥1
45000+:¥0.98
99000+:¥0.95
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Verical
DMC1229UFDB-7Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R$0.1349
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立创商城
DMC1229UFDB-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A,3.8A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.6003
10+:¥1.2121
30+:¥1.1408
100+:¥1.0695
500+:¥1.0378
1000+:¥1.0222