FET类型:N 和 P 沟道
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):12V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.6A,3.8A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19.6nC @ 8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):914pF @ 6V
功率-最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类)
无铅情况/RoHs:否