制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN2020-B-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:5.6 A, 3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms, 37 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:19.6 nC, 17.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:DMC1229

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:4.1 ns, 26.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.5 ns,11.5 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.6 ns, 27.8 ns

典型接通延迟时间:5 ns, 5.7 ns

单位重量:6.500 mg