制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI5060-C-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V, 20 V

Id-连续漏极电流:9.5 A, 8.7 A

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms, 14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:32 nC, 56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:22.5 ns, 82 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.6 ns, 16 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42.5 ns, 150 ns

典型接通延迟时间:6.6 ns, 8.1 ns

单位重量:116 mg