FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.5A，6.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1495pF @ 6V

功率 - 最大值：2.3W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PowerDI5060-8

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs