CJBB3139K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道
CJBB3139K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)660mA
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
漏源导通电阻520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)100mW
类型P沟道
CJBB3139K
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CJBB3139K | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道 | CJ(江苏长电/长晶) |  | 791.36 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | CJBB3139K | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100mW 类型:P沟道 | 20+:¥0.166913 200+:¥0.121931 600+:¥0.113669 2000+:¥0.105407 10000+:¥0.101735 20000+:¥0.099921
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