CJAB35P03
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道
CJAB35P03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)35A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型P沟道
CJAB35P03
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CJAB35P03 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 | CJ(江苏长电/长晶) |  | 1.40 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
CJAB35P03的全球分销商及价格
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 立创商城 | CJAB35P03 | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 | 1+:¥1.1179 10+:¥0.823 30+:¥0.7688 100+:¥0.7147 500+:¥0.6906 1000+:¥0.6787
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