图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻3.3mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型P沟道