CJAC10TH10
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
CJAC10TH10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W
类型N沟道
CJAC10TH10
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CJAC10TH10 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 | CJ(江苏长电/长晶) |  | 1.49 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
CJAC10TH10的全球分销商及价格
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 立创商城 | CJAC10TH10 | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 | 1+:¥3.42 10+:¥2.56 30+:¥2.4 100+:¥2.24 500+:¥2.17 1000+:¥2.14
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