CJBA7002K
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：410mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 40mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：N沟道
CJBA7002K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）410mA
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻1.5Ω @ 40mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）100mW
类型N沟道
CJBA7002K
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| CJBA7002K | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：410mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 40mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：N沟道 | CJ（江苏长电/长晶） |  | 1.79 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
CJBA7002K的全球分销商及价格
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立创商城 | CJBA7002K | CJ（江苏长电/长晶） | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：410mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 40mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：N沟道 | 10+:￥0.204005
100+:￥0.149027
300+:￥0.138929
1000+:￥0.128831
5000+:￥0.124343
10000+:￥0.122125
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