CJAB25N04
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
CJAB25N04的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻9.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型N沟道
CJAB25N04
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CJAB25N04 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | CJ(江苏长电/长晶) |  | 1.98 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
CJAB25N04的全球分销商及价格
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 立创商城 | CJAB25N04 | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | 1+:¥1.3739 10+:¥1.033 30+:¥0.9704 100+:¥0.9078 500+:¥0.88 1000+:¥0.8662
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