CJAB20SN06
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
CJAB20SN06的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻9mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.1W
类型N沟道
CJAB20SN06
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| CJAB20SN06 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 | CJ（江苏长电/长晶） |  | 1.20 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
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立创商城 | CJAB20SN06 | CJ（江苏长电/长晶） | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 | 1+:￥2.19
10+:￥1.64
30+:￥1.54
100+:￥1.43
500+:￥1.39
1000+:￥1.37
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