制造商:Cree, Inc.
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:SiC
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-7
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:22 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷:17.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:83 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
产品:Power MOSFET
类型:Silicon Carbide MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值:6.7 S
下降时间:5 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:15 ns
典型接通延迟时间:12.5 ns
单位重量:1.600 g