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C3M0065100K /MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
C3M0065100K的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V

Qg-栅极电荷:35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:113.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:11.9 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:6 g

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C3M0065100KWolfspeed / CreeMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-41:¥93.4397
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500:¥85.4506
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C3M0065100KCREE连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:3.5V @ 5mA 漏源导通电阻:78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散(Ta=25°C):113.5W(Tc) 类型:N沟道1+:¥83.93
10+:¥81.78
30+:¥80.34
100+:¥78.91