制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:113 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

产品:Power MOSFET

类型:Silicon Carbide MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:11.6 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.5 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns

单位重量:1.600 g