包装管件

系列C3M™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）63A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）43毫欧 @ 40A，15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.6V @ 11.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）118nC @ 15V

Vgs（最大值）+15V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3357pF @ 1000V

FET 功能-

功率耗散（最大值）283W（Tc）

工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-4L

封装/外壳TO-247-4