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C2M1000170J /MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
C2M1000170J的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV

Id-连续漏极电流:5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:4.435 mm

长度:10.18 mm

宽度:9.075 mm

商标:Wolfspeed / Cree

下降时间:40.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.8 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:1.600 g

供应商C2M1000170J
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C2M1000170JWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm1:¥42.9513
100:¥41.2676
500:¥39.2675
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C2M1000170JCREE连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):1700V 栅源极阈值电压:3.1V @ 500uA(标准) 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:N沟道1+:¥59.02
10+:¥50.99
30+:¥49.51
100+:¥48.03
500+:¥47.38
1000+:¥46.57