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C2M1000170D /MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
C2M1000170D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV

Id-连续漏极电流:4.9 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V, - 10 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:0.9 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:38 g

供应商C2M1000170D
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深圳市源美佳成电子有限公司C2M1000170D新华强Q2C0350755-83204865
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现代芯城(深圳)科技有限公司C2M1000170Dwww.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城C2M1000170D深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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Mouser 贸泽电子
C2M1000170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm1:¥40.341
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Mouser 贸泽电子
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