制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V, - 10 V

Qg-栅极电荷:406 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:463 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:5.21 mm

产品:Power MOSFET

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Silicon Carbide Power MOSFET

宽度:16.13 mm

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:23.6 S

下降时间:28.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:31.6 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28.8 ns

典型接通延迟时间:14.4 ns

单位重量:38 g