制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:5.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:Z-FET

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:2.8 S

下降时间:9.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.6 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.8 ns

典型接通延迟时间:5.2 ns

单位重量:38 g