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C2M0160120D /MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
C2M0160120D的规格信息
C2M0160120D的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:17.7 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V, - 10 V

Qg-栅极电荷:32.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:4.1 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:38 g

供应商C2M0160120D
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现代芯城(深圳)科技有限公司C2M0160120Dwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市源美佳成电子有限公司C2M0160120D新华强Q2C0350755-83204865
13715037703
王小姐Email:2355858225@POWERGS.COM询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司C2M0160120D深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市安富世纪电子有限公司C2M0160120D深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司C2M0160120D深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司C2M0160120D航都大厦10I0755-23990975
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Chip1Stop
C2M0160120DCree, Inc.Trans MOSFET N-CH 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS : Compliant
1 : $8.94
100 : $7.21
500 : $6.55
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ChipOneStop
C2M0160120DCreeFET - 单 Z-FET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm1+:¥60.84
100+:¥58.5
500+:¥57.061+:¥61.8301
50+:¥61.52
100+:¥60.31
250+:¥59.56
500+:¥58.8
1000+:¥57.371+:¥97.5
10+:¥86.51
25+:¥78.631+:¥89.95
5+:¥83.48
10+:¥80.59
50+:¥67.5
100+:¥55.77
200+:¥49.23
500+:¥47.4899
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Digi-Key 得捷电子
C2M0160120DCree/WolfspeedSICFET N-CH 1200V 19A TO247-3$7.81000
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Digi-Key 得捷电子
C2M0160120DCree, Inc.MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247500 : $7.8125
100 : $8.01
1 : $8.33
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Digi-Key 得捷电子
C2M0160120DCreeFET - 单 Z-FET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm1+:¥60.84
100+:¥58.5
500+:¥57.06
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element14 Asia-Pacific
C2M0160120DCree, Inc.SIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-
RoHS : Compliant
1 : $118.82
10 : $105.43
25 : $95.83
100 : $86.71
250 : $79.54
500 : $72.36
1,000 : $68.57
2,500 : $66.63
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element14 e络盟电子
C2M0160120DCreeFET - 单 Z-FET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm1+:¥60.84
100+:¥58.5
500+:¥57.061+:¥61.8301
50+:¥61.52
100+:¥60.31
250+:¥59.56
500+:¥58.8
1000+:¥57.371+:¥97.5
10+:¥86.51
25+:¥78.63
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Farnell element14
C2M0160120DCree, Inc.SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3
RoHS : Compliant
1,000 : $12.648
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Mouser 贸泽电子
C2M0160120DCreeFET - 单 Z-FET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm1+:¥60.84
100+:¥58.5
500+:¥57.061+:¥61.8301
50+:¥61.52
100+:¥60.31
250+:¥59.56
500+:¥58.8
1000+:¥57.37
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
C2M0160120DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm1:¥64.0032
100:¥61.5511
500:¥58.6244
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14
C2M0160120DWolfspeedSIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.7A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V ;RoHS Compliant: Yes250 : $7.94
500 : $7.82
1,000 : $7.63
元器件资料网-Richardson RFPD的LOGO
Richardson RFPD
C2M0160120DWolfspeedSILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES1 : $7.49
50 : $7.25
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components
C2M0160120DCREETransistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-330 : $9.13
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Verical
C2M0160120DCreeTrans MOSFET N-CH 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247$8.01