FET 类型：N 沟道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 500µA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 20V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：200pF @ 1000V
功率耗散（最大值）：78W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 2A，20V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK-7
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs