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BSZ0909NS /MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0909NS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:34 V

Id-连续漏极电流:36 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:6.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 nS

零件号别名:BSZ0909NSATMA1 BSZ99NSXT SP000832568

单位重量:300 mg

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BSZ0909NSInfineon Technologies Americas Inc.INFBSZ0909NS INVENTEC SP0008325685,000 : $0.2462
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BSZ0909NSInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON5,000 : $0.18125
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BSZ0909NSInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 34V 36A5000+:¥1.56
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BSZ0909NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON$0.65000
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BSZ0909NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
5,000:¥1.6272
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BSZ0909NSInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 34V 36A5000+:¥1.561+:¥3.65
10+:¥2.85
100+:¥1.85
1000+:¥1.71
5000+:¥1.57
10000+:¥1.55
25000+:¥1.5001
50000+:¥1.47
100000+:¥1.45
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Rochester
BSZ0909NSInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 34V 36A5000+:¥1.561+:¥3.65
10+:¥2.85
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1000+:¥1.71
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10000+:¥1.55
25000+:¥1.5001
50000+:¥1.47
100000+:¥1.451+:¥1.63
25+:¥1.62
50+:¥1.6
100+:¥1.59
300+:¥1.56
500+:¥1.55
1000+:¥1.54
5000+:¥1.53
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BSZ0909NSInfineon Technologies AGN/A500 : $0.21
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BSZ0909NSInfineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥3.03
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500+:¥1.13
1000+:¥1.11