数据列表：BSZ088N03MS G

标准包装：5,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta），40A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2100pF @ 15V

功率 - 最大值：35W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

其它名称：BSZ088N03MS GBSZ088N03MSGATMA1BSZ088N03MSGINTRBSZ088N03MSGXTSP000311509