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BSZ086P03NS3G / MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ086P03NS3G的规格信息
BSZ086P03NS3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:13.5 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:8.6 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:46 ns

系列:OptiMOS P3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024

供应商BSZ086P03NS3G
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BSZ086P03NS3G的全球分销商及价格
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BSZ086P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P31:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
5,000:¥2.2035
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10:¥5.0624
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立创商城
BSZ086P03NS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3.1V @ 105uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道1+:¥3.87
10+:¥3.77
30+:¥3.7
100+:¥3.63