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BSZ076N06NS3G / MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ076N06NS3G的规格信息
BSZ076N06NS3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:37 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

正向跨导 - 最小值:39 S, 20 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:40 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420

供应商BSZ076N06NS3G
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