FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 105µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：57.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4785pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TSDSON-8

封装/外壳：PG-TSDSON-8

通道类型：P

最大连续漏极电流：40 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：13.4 m0hms

最大栅阈值电压：1.9V

最小栅阈值电压：3.1V

最大栅源电压：-25 V、+25 V

封装类型：TSDSON

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：69 W

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

每片芯片元件数目：1

长度：3.4mm

高度：1.1mm

系列：OptiMOS P

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：43.2 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：3190 pF @ -15 V

典型关断延迟时间：35 ns

典型接通延迟时间：16 ns

尺寸：3.4 x 3.4 x 1.1mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs