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BSS670S2LH6327XTSA1 /MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:540 mA

Rds On-漏源导通电阻:650 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:1.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS670S2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:600 mS

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950

单位重量:8 mg

供应商BSS670S2LH6327XTSA1
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深圳市赛美科科技有限公司BSS670S2LH6327XTSA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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集好芯城BSS670S2LH6327XTSA1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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BSS670S2LH6327XTSA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO145.41 Kbytes共8页BSS670S2LH6327XTSA1的PDF下载地址
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BSS670S2LH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):540mA 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 2.7uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 270mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO145.41 Kbytes共8页BSS670S2LH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS670S2LH6327XTSA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3$0.39000
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Mouser 贸泽电子
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-31:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):540mA 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 2.7uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 270mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道5+:¥0.505711
50+:¥0.383038
150+:¥0.360506
500+:¥0.304177
2500+:¥0.295164
5000+:¥0.290711