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BSS209PW /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSS209PW的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):580mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 580mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.5µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.38nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):89.9pF @ 15V

功率 - 最大值:520mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:PG-SOT323-3

其它名称:BSS209PWINTRBSS209PWXTBSS209PWXTINTRBSS209PWXTINTR-NDSP000013478

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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSS209PW华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市赛美科科技有限公司BSS209PW广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市佳威星科技有限公司BSS209PWH6327XTSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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BSS209PWOptiMOS -P Small-Signal-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO75.35 Kbytes共8页BSS209PW的PDF下载地址BSO4420,BSD223P,BSO4804,BSL207SP,BSO4822,BSL211SP,BSL307SP,BSO201SP,BSS223PW,BSO203P
BSS209PWOptiMOS-P Small-Signal-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO284.82 Kbytes共8页BSS209PW的PDF下载地址
BSS209PW H6327MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO250.90 Kbytes共9页BSS209PW H6327的PDF下载地址
BSS209PW H6327Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO250.25 Kbytes共9页BSS209PW H6327的PDF下载地址
BSS209PW L6327MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO250.25 Kbytes共9页BSS209PW L6327的PDF下载地址
BSS209PW_06OptiMOS-P Small-Signal-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO284.82 Kbytes共8页BSS209PW_06的PDF下载地址
BSS209PWH6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.5uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 630mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO250.25 Kbytes共9页BSS209PWH6327的PDF下载地址
BSS209PWH6327XTSA1MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO250.90 Kbytes共9页BSS209PWH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS209PWH6327XTSA1MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO250.25 Kbytes共9页BSS209PWH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS209PWH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.5uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 630mA, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO250.25 Kbytes共9页BSS209PWH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS209PW的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
BSS209PWInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品价格未公开
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BSS209PWInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品价格未公开
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BSS209PWInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3Obsolete
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BSS209PW L6327InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子
BSS209PW H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-31:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
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BSS209PWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-31:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
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BSS209PW H6327Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥0.70149
200+:¥0.271468
500+:¥0.261928
1000+:¥0.257213
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立创商城
BSS209PWH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.5uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 630mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道5+:¥0.453975
50+:¥0.337878
150+:¥0.316554
500+:¥0.29523
2500+:¥0.285753
5000+:¥0.28107
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BSS209PWH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):630mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 3.5uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 630mA, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道1+:¥2.06
10+:¥2
30+:¥1.96
100+:¥1.93