制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

商标:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.6 V

在25 C的连续集电极电流:75 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

最大工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:34MM

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:Screw

Pd-功率耗散:310 W

工厂包装数量:10