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BSM25GB120DN2 /IGBT 模块 1200V 25A DUAL
BSM25GB120DN2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:IGBT 模块

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:38 A

栅极—射极漏泄电流:180 nA

功率耗散:200 W

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:Half Bridge1

商标:Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压:20 V

安装风格:Screw

工厂包装数量:500

ROHS: 含铅

供应商BSM25GB120DN2
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BSM25GB120DN2IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO111.4 Kbytes共9页BSM25GB120DN2的PDF下载地址BSM100GB170DN2,BSM150GB120DN2,BSM150GB170DN2,BSM200GB120DN2,BSM400GB60DN2,BSM50GB120DN2,BSM50GB170DN2,BSM75GB120DN2,BSM75GB170DN2,BSM100GB120DN2
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