包装散装
系列-
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.6V @ 80mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）5.6V @ 80mA
Vgs（最大值）+22V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1500pF @ 10V
FET 功能标准
功率耗散（最大值）1360W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装模块
封装/外壳模块