产品：IGBT Silicon Modules

配置：Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

集电极—射极饱和电压：2.1 V

在25 C的连续集电极电流：50 A

栅极—射极漏泄电流：400 nA

功率耗散：200 W

最大工作温度：+ 125 C

封装 / 箱体：EconoPACK 2A

封装：Reel

商标：Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压：+/- 20 V

最小工作温度：- 40 C

安装风格：Screw

工厂包装数量：10

ROHS： 含铅