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BSM200GAL120DLC / IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER
BSM200GAL120DLC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

商标:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

在25 C的连续集电极电流:420 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

最大工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:62 mm

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:Screw

Pd-功率耗散:1.4 kW

工厂包装数量:10

供应商BSM200GAL120DLC
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BSM200GAL120DLC62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode EUPEC[eupec GmbH]EUPEC[eupec GmbH]的LOGO338.18 Kbytes共10页BSM200GAL120DLC的PDF下载地址LM95241,NTLJF3117P,NTLJF3118N,MS906C3,NCP348,TC7MA157FK,6R1MBI75P-160,FXL2TD245,MC100EP16VB,LM95234
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