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BSM180D12P2C101 /分立半导体模块 Mod: 1200V 180A (no Diode)
BSM180D12P2C101的规格信息
BSM180D12P2C101的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power Semiconductor Modules

类型:SiC Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:Module

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BSMx

封装:Bulk

配置:Half-Bridge

高度:21.1 mm

长度:122 mm

宽度:45.6 mm

商标:ROHM Semiconductor

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

典型延迟时间:80 ns

下降时间:90 ns

Id-连续漏极电流:204 A

Pd-功率耗散:175 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

上升时间:90 ns

工厂包装数量:12

子类别:Discrete Semiconductor Modules

典型关闭延迟时间:300 ns

典型接通延迟时间:80 ns

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V

零件号别名:BSM180D12P2C101

单位重量:50 g

供应商BSM180D12P2C101
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