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BSM150GB120DN2 /IGBT 模块 1200V 150A DUAL
BSM150GB120DN2的规格信息
BSM150GB120DN2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:210 A

栅极—射极漏泄电流:320 nA

Pd-功率耗散:1.25 kW

封装 / 箱体:Half Bridge2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:30 mm

长度:106.4 mm

宽度:61.4 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:BSM150GB120DN2HOSA1 SP000095942

供应商BSM150GB120DN2
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BSM150GB120DN2Infineon TechnologiesIGBT 模块 1200V 150A DUAL1:¥1,235.9714
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10:¥1,176.2622
25:¥1,159.7416